牛津儀器獨(dú)特的外部PentaFET技術(shù)和圓型SDD晶體的結(jié)合，第一款適合定量分析的分析型電制冷能譜.分辨率高，體積小巧,性能穩(wěn)定,分析速度是液氮制冷能譜的10倍。且無需風(fēng)扇及循環(huán)水制冷，無需添加液氮。
超大面積能譜探頭有效面積為20mm2，同等條件下，信號(hào)的強(qiáng)度為傳統(tǒng)的10mm2的2倍，進(jìn)一步顯示了SDD的速度優(yōu)勢。同等的計(jì)數(shù)率時(shí)，需要的電鏡束流為10mm2的1/2,大大提高了能譜的空間分辨率，對于微區(qū)的分析非常有利
技術(shù)參數(shù)
窗口，20mm2大面積活區(qū)；
在MnKα處的分辨率:優(yōu)于129eV (計(jì)數(shù)率1,000-100,000cps)；
穩(wěn)定性: 1,000cps100,000cps
譜峰漂移<1eV，分辨率變化<1eV，48小時(shí)內(nèi)譜峰漂移<1eV (Mn Ka)
峰背比20,000: 1 (Fe 55, Mn Ka)
分析元素范圍：Be4-Pu94
圓形SDD晶體
高性能，低噪聲，獨(dú)立封裝FET場效應(yīng)管
兩級(jí)電子制冷
不用時(shí)無需通電，即熱循環(huán)設(shè)計(jì)
ZL的探測器自動(dòng)優(yōu)化功能，確保輕元素性能長期優(yōu)良；
ZL的X-sight電荷復(fù)位技術(shù)；