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Hall8800霍爾效應(yīng)測(cè)試儀器常溫&液氮溫度測(cè)試系統(tǒng)

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詳細(xì)介紹

1應(yīng)用范圍:研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性、精密測(cè)量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù)
2規(guī) :
2-1 Maximum sample size (Small board) - 15mm x15mm
最大樣品尺寸:15mm x15mm (可定制)
2-2 Measurement Temperature: 300K (room temperature), optional 77K.
測(cè)試溫度: 室溫、可選配液氮低溫77K
2-3 Measurement Material: Semiconductors material such as
Si, SiGe, SiC,GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO (N Type & P Type)
測(cè)試材質(zhì):半導(dǎo)體類材質(zhì)、如:
Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有半導(dǎo)體薄膜(P型和N型)
2-4 Magnet Flux Density: 0.68 Tesla nominal ±1% of marked value
磁場(chǎng)強(qiáng)度: 0.68 Tesla ±1%
2-5 Magbnet Stability: ±2% over 1 years
穩(wěn)定性: ±2% (一年后)
2-6 Uniformity: ± 1% over 20mm diameter from center
均勻度:± 1%(20mm直徑圓范圍內(nèi))
2-7 Pole Gap: 20 mm
磁極間隙:20毫米
2-8 Input voltage range: 1μV to 300V
輸入電壓范圍:1μV ~300V
2-9 Hall voltage range: 10uV to 2000mV
霍爾電壓范圍: 10uV to 2000mV
2-10 Resistivity (Ohm.cm): 10-5 to 107
電阻率 (Ω.): 10-5 to 107
2-11 Mobility (cm2/Volt.sec): 1 ~ 107
遷移率(cm2/Volt.sec): 1 ~ 107
2-12 Carrier Density (cm-3): 107 ~ 1021
載流子濃度(1/cm3): 107 ~ 1021

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