-
-
Hall8800霍爾效應(yīng)測(cè)試儀器常溫&液氮溫度測(cè)試系統(tǒng)
- 品牌:德國(guó)Prorheo
- 型號(hào): Hall8800
- 產(chǎn)地:臺(tái)灣
- 供應(yīng)商報(bào)價(jià):面議
-
上海沃埃得貿(mào)易有限公司
-
銷售范圍售全國(guó)
入駐年限第10年
營(yíng)業(yè)執(zhí)照
- 同類產(chǎn)品半導(dǎo)體&超導(dǎo)材料物性測(cè)試儀器(3件)
立即掃碼咨詢
聯(lián)系方式:400-822-6768
聯(lián)系我們時(shí)請(qǐng)說(shuō)明在儀器網(wǎng)(www.yn180.com)上看到的!
掃 碼 分 享 -
為您推薦
詳細(xì)介紹
1 應(yīng)用范圍: 研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性、精密測(cè)量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù) 2 規(guī) 格: 2-1 Maximum sample size (Small board) - 15mm x15mm
最大樣品尺寸:15mm x15mm (可定制)2-2 Measurement Temperature: 300K (room temperature), optional 77K.
測(cè)試溫度: 室溫、可選配液氮低溫77K2-3 Measurement Material: Semiconductors material such as
Si, SiGe, SiC,GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO (N Type & P Type)
測(cè)試材質(zhì):半導(dǎo)體類材質(zhì)、如:
Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有半導(dǎo)體薄膜(P型和N型)
2-4 Magnet Flux Density: 0.68 Tesla nominal ±1% of marked value
磁場(chǎng)強(qiáng)度: 0.68 Tesla ±1%2-5 Magbnet Stability: ±2% over 1 years
穩(wěn)定性: ±2% (一年后)2-6 Uniformity: ± 1% over 20mm diameter from center
均勻度:± 1%(20mm直徑圓范圍內(nèi))2-7 Pole Gap: 20 mm
磁極間隙:20毫米2-8 Input voltage range: 1μV to 300V
輸入電壓范圍:1μV ~300V2-9 Hall voltage range: 10uV to 2000mV
霍爾電壓范圍: 10uV to 2000mV2-10 Resistivity (Ohm.cm): 10-5 to 107
電阻率 (Ω.): 10-5 to 1072-11 Mobility (cm2/Volt.sec): 1 ~ 107
遷移率(cm2/Volt.sec): 1 ~ 1072-12 Carrier Density (cm-3): 107 ~ 1021
載流子濃度(1/cm3): 107 ~ 1021技術(shù)資料
您可能感興趣的產(chǎn)品
-
Hall8800霍爾效應(yīng)測(cè)試儀器常溫&液氮溫度測(cè)試系統(tǒng)
-
霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)HEMS
-
霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)(HET)
-
霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)EzHEMS
-
德國(guó)Phystech RH2035霍爾效應(yīng)測(cè)試儀器
-
全自動(dòng)化電輸運(yùn)性質(zhì)測(cè)試系統(tǒng)霍爾效應(yīng)磁阻測(cè)試
-
MMR變溫變磁場(chǎng)霍爾效應(yīng)測(cè)試儀器
-
美國(guó)MMR K2500 變溫霍爾效應(yīng)測(cè)試儀器
-
高磁場(chǎng)霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)儀半導(dǎo)體材料測(cè)試系統(tǒng)
-
霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)儀-JH60C 半導(dǎo)體材料電學(xué)特性測(cè)試儀器
-
霍爾電流傳感器測(cè)試設(shè)備霍爾效應(yīng)測(cè)試
-
美國(guó)Lake Shore 8400系列交直流霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)