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MMR變溫變磁場(chǎng)霍爾效應(yīng)測(cè)試儀器

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詳細(xì)介紹

1.	設(shè)備名稱(chēng)：	霍爾效應(yīng)測(cè)試儀
2.	功能描述：	測(cè)量半導(dǎo)體薄膜中載流子類(lèi)型、載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等參數(shù)
3.	設(shè)備明細(xì)：
3-1	測(cè)試范圍：	Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材質(zhì)的半導(dǎo)體薄膜中載流子類(lèi)型、載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等參數(shù)
3-2	磁場(chǎng)：
3-2-1	磁場(chǎng)強(qiáng)度：	0.5T 電磁體（0.5T 永磁體 / 1.4T 電磁體兩種磁場(chǎng)可選）
3-2-2	磁場(chǎng)類(lèi)型：	電磁體
3-2-3	磁場(chǎng)均勻性：	磁場(chǎng)不均勻性＜±1 %
3-3	測(cè)試樣品：
3-3-1	樣品測(cè)試倉(cāng)：	全封閉、帶玻璃窗口
3-4	溫度：
3-4-1	溫度區(qū)域：	80K ~730K
3-4-2	溫控精度：	0.1K
3-4-3	溫控穩(wěn)定性：	±0.1 K
3-5	電阻率范圍：	10^-6~10¹³ Ohm*cm
3-6	電阻范圍：	10 m Ohms~ 10G Ohms
3-7	載流子濃度：	10²~10²²cm^-3
3-8	遷移率：	10^-2~10⁹ cm²/volt*sec
3-9	輸入電流：
3-9-1	電流范圍：	0.1 pA~10mA
3-9-2	電流精度：	2%
3-10	輸入電壓：
3-10-1	電壓范圍：	±2.5V,最小可測(cè)到6×10^-⁶V
3-10-2	電壓分辨率：	3×10^-⁷V
3-10-3	電壓精度：	2%