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日立 IM4000 II 離子研磨儀

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詳細介紹


離子研磨儀 IM4000II

日立離子研磨儀標(biāo)準(zhǔn)機型IM4000Ⅱ能夠進行截面研磨和平面研磨。

還可通過低溫控制及真空轉(zhuǎn)移等各種選配功能,針對不同樣品進行截面研磨。


高效率的截面研磨

IM4000II配備截面研磨能力達到500 μm/h*1以上的高效率離子槍。因此,即使是硬質(zhì)材料,也可以高效地制備出截面樣品。

*1在加速電壓6 kV下,將Si片從遮擋板邊緣突出100 μm并加工1小時的zui大深度

-

樣品:Si片(2 mm厚)
加速電壓:6.0 kV
擺動角度:±30°
研磨時間:1小時


截面研磨時如果擺動的角度發(fā)生變化,加工的寬度和深度也會發(fā)生變化。

下圖為Si片在擺動角度為±15°下進行截面研磨后的結(jié)果。除擺動角度以外,其他條件與上述加工條件一致。通過與上面結(jié)果進行對比后,可發(fā)現(xiàn)加工的深度變深。對于觀察目標(biāo)位于深處的樣品來說,能夠?qū)悠愤M行更快速的截面研磨。

-

樣品:Si片(2 mm厚)
加速電壓:6.0 kV
擺動角度:±15°
研磨時間:1小時


復(fù)合型研磨儀

截面研磨
  • 即使是由不同硬度以及研磨速度材質(zhì)所構(gòu)成的復(fù)合材料,也可以通過IM4000Ⅱ制備出平滑的研磨面

  • 優(yōu)化加工條件,降低因離子束所致樣品的損傷

  • 可裝載zui大20 mm(W) × 12 mm(D) × 7 mm(H)的樣品


截面研磨的主要用途
  • 金屬以及復(fù)合材料、高分子材料等樣品的截面制備

含有裂縫和空隙等特定位置的樣品截面制備

多層樣品的截面制備以及對樣品EBSD分析的前處理

-

平面研磨
  • 直徑約為5mm范圍內(nèi)的均勻加工

  • 應(yīng)用領(lǐng)域廣泛

  • zui大可裝載直徑50 mm × 高度25 mm的樣品

  • 可選擇旋轉(zhuǎn)和擺動(±60度,±90度的擺動)2種加工方法


平面研磨的主要用途

  • 去除機械研磨中難以消除的細小劃痕和形變

  • 去除樣品表層部分

  • 消除因FIB加工所致的損傷層

-


選配項

低溫控制功能*1

將液氮裝入杜瓦罐中,以此作為冷卻源間接冷卻樣品。IM4000Ⅱ配有溫度調(diào)節(jié)控制功能,以防止樹脂和橡膠樣品過冷。

截屏2023-10-31 上午9.53.16.png

真空轉(zhuǎn)移功能

離子研磨加工后的樣品可以在不接觸空氣的狀態(tài)下直接轉(zhuǎn)移到SEM*1、AFM*2上。真空轉(zhuǎn)移功能與低溫控制功能可同時使用。(平面研磨真空轉(zhuǎn)移功能不適用低溫控制功能)

*1僅支持帶有真空轉(zhuǎn)移交換倉的日立FE-SEM

*2僅支持真空型日立AFM。



觀察加工過程的體式顯微鏡

右圖為用于觀察樣品加工過程的體式顯微鏡。搭載了CCD相機的三目型顯微鏡能夠在顯示器上進行觀察。也可配置雙目型體式顯微鏡。


規(guī)格

主要內(nèi)容
使用氣體氬氣
氬氣流量控制方式質(zhì)量流量控制
加速電壓0.0 ~ 6.0 kV
尺寸616(W) × 736(D) × 312(H) mm
重量主機53 kg+機械泵30 kg
截面研磨
zui快研磨速度(Si材料)500 μm/h*1以上
zui大樣品尺寸20(W)×12(D)×7(H)mm
樣品移動范圍X±7 mm、Y 0 ~+3 mm
離子束間歇加工功能
開啟/關(guān)閉 時間設(shè)定范圍
1秒 ~ 59分59秒
擺動角度±15°、±30°、±40°
廣域截面研磨功能-
平面研磨
zui大加工范圍φ32 mm
zui大樣品尺寸Φ50 X 25 (H) mm
樣品移動范圍X 0~+5 mm
離子束間歇加工功能
開啟/關(guān)閉 時間設(shè)定范圍
1秒 ~ 59分59秒
旋轉(zhuǎn)速度1 rpm、25 rpm
擺動角度±60°、± 90°
傾斜角度0 ~ 90°
?

*1將Si片從遮擋板邊緣突出100 μm并加工1小時的深度。


選配項

項目內(nèi)容
低溫控制功能*2通過液氮間接冷卻樣品,溫度設(shè)定范圍:0°C ~ -100°C
超硬遮擋板使用時間約為標(biāo)準(zhǔn)遮擋板的2倍(不含鈷)
加工過程觀察用顯微鏡放大倍數(shù) 15× ~ 100× 雙目型、三目型(可裝CCD)

*2需與主機同時訂購。冷卻溫度控制功能在使用時,部分功能可能使用有限。







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