斷面研磨

● 即使是由硬度以及研磨速度不同的成分所構(gòu)成的復(fù)合材料，也可以制備出平滑的斷面樣品

● 優(yōu)化加工條件，減輕損傷

● 可裝載zui大20 mm(W) × 12 mm(D) × 7 mm(H)的樣品

● 制備金屬以及復(fù)合材料、高分子材料等各種樣品的斷面

● 制備用于分析開裂和空洞等缺陷的斷面

● 制備評價(jià)、觀察和分析所用的沉積層界面以及結(jié)晶狀態(tài)的斷面

斷面研磨加工原理圖

平面研磨（Flat Milling?）

● 均勻加工成直徑約為5mm的范圍

● 可運(yùn)用于符合其目的的廣泛領(lǐng)域

● 最大可裝載直徑50 mm × 厚度25 mm的樣品

● 可選擇旋轉(zhuǎn)和擺動（±60度～±90度的翻轉(zhuǎn)）2種加工方法

● 去除機(jī)械研磨中難以消除的細(xì)小劃痕和形變

● 去除樣品的表層

● 消除FIB加工的損傷

平面研磨（Flat Milling?）加工原理圖

與日立SEM的樣品結(jié)合

● 樣品無需從樣品臺取下，就可直接在SEM上進(jìn)行觀察。

● 在抽出式的日立SEM上，可按照不同的樣品分別設(shè)置截面、平面研磨桿，因此，在SEM上觀察之后，可根據(jù)需要進(jìn)行再加工。

樣品：鉛焊料

冷卻研磨

選項(xiàng)

大氣隔離樣品桿

大氣隔離樣品桿，可讓樣品在不接觸空氣的狀態(tài)下進(jìn)行研磨。
密封蓋將樣品密閉，進(jìn)入真空排氣的樣品室后，打開密封蓋。如此，離子研磨加工后的樣品可以在不接觸空氣的狀態(tài)下直接設(shè)置到SEM*1、FIB*1、AFM*2上。

*1    僅支持附帶大氣隔離樣品更換室的日立FE-SEM和FIB。

*2    僅支持真空型日立AFM。

大氣暴露

大氣隔離

用于加工時(shí)觀察的立體顯微鏡

IM4000、IM4000PLUS通過設(shè)置在樣品室上方的立體顯微鏡，可觀察到研磨過程中的樣品。
如果是三目型，則可以通過CCD攝像頭*3進(jìn)行監(jiān)控觀察。

*3    CCD攝像頭以及監(jiān)控器由客戶準(zhǔn)備。

IM4000PLUS

IM4000PLUS

斷面研磨桿

平面研磨桿

使用氣體

Ar（氬）氣

加速電壓

0 ～ 6 kV

最大研磨速度（Si材料）

500 μm/hr*1 以上

-

最大樣品尺寸

20（W）× 12（D）× 7（H）mm

Φ50 × 25（H） mm

離子束
間歇照射功能

標(biāo)配

尺寸 

616（W）× 705（D）× 312（H）mm

重量 

機(jī)體48 kg＋回轉(zhuǎn)泵28 kg

附冷卻溫度調(diào)節(jié)功能的IM4000PLUS

冷卻溫度調(diào)節(jié)功能

通過液氮間接冷卻樣品、溫度設(shè)定范圍：0°C ～ －100°C

選項(xiàng)

空氣隔離
樣品夾持器

僅支持?jǐn)嗝嫜心A持器

-

FP版斷面研磨夾持器

100 μm/rotate*2

-

用于加工監(jiān)控的顯微鏡

倍率 15 × ～ 100 × 雙目型、三目型（支持CCD）

低倍圖像

放大圖像

即使硬度和成分不同的多層結(jié)構(gòu)材料，也可以制備斷面。

樣品：保險(xiǎn)杠涂膜

低倍圖像

放大圖像

這是通過鋰電池正極材料，斷面研磨獲得平滑截面的應(yīng)用實(shí)例。
在SEM上觀察到的具有特殊對比度的部位，從SSRM（Scanning Spread Resistance Microscopy）圖像來看，考慮為電阻低的部位。

平面研磨（Flat Milling）

可以去除機(jī)械研磨所引起的研磨損傷和塌邊，并可觀察到金屬層、合金層和無鉛焊料的Ag分布。

機(jī)械研磨后

平面研磨后

因老化等變得臟污的觀察面、分析面，通過平面研磨，也可以獲得清晰的通道對比度圖像和EBSD模式。