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德國(guó)布魯克平插式能譜儀QUANTAX FlatQUAD

品牌：布魯克AXS
型號(hào)： QUANTAX FlatQUAD
產(chǎn)地：歐洲德國(guó)
供應(yīng)商報(bào)價(jià)：面議

布魯克（北京）科技有限公司更新時(shí)間：2025-02-11 15:28:52

銷售范圍售全國(guó)

入駐年限第10年

營(yíng)業(yè)執(zhí)照已審核

同類產(chǎn)品X射線能譜儀(EDS)(3件)

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詳細(xì)介紹

產(chǎn)品特點(diǎn)
無與倫比的高通量
分析敏感樣品
詳細(xì)介紹
產(chǎn)品亮點(diǎn)：
1nm
空間分辨率
SEM 中的納米級(jí)分辨率

>1.1sr
最高固體角
固體角代表探測(cè)器采集樣品產(chǎn)生的 X 射線的幾何收集效率

2,400
kcps
高通量
比傳統(tǒng)的 EDS 探測(cè)器快 4 倍

QUANTAX FlatQUAD - 突破傳統(tǒng) SDD 的極限
QUANTAX FlatQUAD 是基于革命性 XFlash? FlatQUAD 的 EDS 分析系統(tǒng)。這種環(huán)形四通道硅漂移探測(cè)器實(shí)驗(yàn)時(shí)位于SEM極靴和樣品之間，在EDS測(cè)試中實(shí)現(xiàn)最大固體角。QUANTAX FlatQUAD 與 ESPRIT 分析軟件套件相結(jié)合，即使是對(duì)于最困難的EDS樣品，可以提供無與倫比的面分析性能。

最大限度地提高您的效率
Bruker XFlash? FlatQUAD 探測(cè)器獨(dú)特的環(huán)形設(shè)計(jì)以及它在 SEM 極片和樣品之間的位置，可帶來無與倫比的固體角，直接對(duì)應(yīng)為更快的測(cè)量速度。QUANTAX FlatQUAD 與 ESPRIT 軟件套件一起，提供理想的儀器軟硬件，用于分析最低電流才穩(wěn)定的敏感樣品或極為粗糙的樣品。
XFlash? FlatQUAD還可以將您的 SEM 或 FIB 轉(zhuǎn)換為低電壓的 STEM，以更及時(shí)、更經(jīng)濟(jì)高效的方式實(shí)現(xiàn)最高的空間和光譜分辨率。
如果要從電子透明樣品中獲得更多信息，比如晶體學(xué)信息，可以請(qǐng)將 XFlash? FlatQUAD與布魯克 EBSD 改裝的 TKD 探測(cè)器結(jié)合使用。

您的分析挑戰(zhàn)是什么？

由于荷電效應(yīng)和電子束帶來的損傷，基于 SEM 的非破壞性 EDS 分析非導(dǎo)電（自然）生命科學(xué)樣品極其困難。此外，形貌圖和由此產(chǎn)生的陰影效果會(huì)影響結(jié)果的質(zhì)量。布魯克 XFlash? FlatQUAD 專為克服這些限制而設(shè)計(jì)，如希臘雅典愛琴海附近的海膽樣品（帕拉森特·利維杜斯）如當(dāng)前示例所示。
圖 1-3 顯示了基于 SEM 的 EDS 面分析圖，其中顯示了海膽的各種細(xì)節(jié)。圖1中，在右側(cè)以綠松石顯示脊柱管狀，而左側(cè)的綠色和綠松石鐵鏟狀結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)為微小的脊柱。在顯微圖的中心，單個(gè)沙粒是可辨別的紅色。該圖是在 6 kV 加速電壓和低電流，使用環(huán)形 SDD（XFlash ? FlatQUAD ）在高真空條件下采集的，無需任何樣品制備（無碳涂層或拋光）。
這種獨(dú)特的環(huán)形 EDS 探測(cè)器被放置在樣品上方，就像 BSE 探測(cè)器一樣。XFlash? FlatQUAD 具有極高的靈敏度，可在 X 射線產(chǎn)量情況下，最大限度地減少樣品的陰影效應(yīng)，因此是面分析粗糙表面、束流敏感樣品的完美工具。而這樣的樣品通常就像某些生命科學(xué)樣品一樣。

二硫化鉬（MoS2）是一種工業(yè)上重要的材料，因?yàn)樗倾f的主要礦石。它具有廣泛的應(yīng)用，例如汽車和機(jī)械加工的固體潤(rùn)滑劑，化學(xué)工業(yè)的催化劑，半導(dǎo)體工業(yè)的間接帶隙材料。
EDS 光譜中具有強(qiáng)重疊峰的材料的解卷積和定量一直是分析方面的難點(diǎn)。MoS2中硫的 K 線與鉬的 L 線具有強(qiáng)烈峰重疊。我們使用XFlash? FlatQUAD，布魯克一種特殊的高性能EDS探測(cè)器獲得MoS2的EDS點(diǎn)分析能譜（圖1所示）。使用布魯克的ESPRIT2分析軟件對(duì)光譜進(jìn)行解卷積和定量。ESPRIT強(qiáng)大的解卷積和擬合方法能夠正確識(shí)別和擬合各個(gè)峰值的重疊情況（圖 2，圖 3）。能譜的無標(biāo)樣定量使Mo和S的原子濃度非常接近測(cè)量濃度。

工程鋼中鈮元素分布圖
鈮（Nb）作為微合金工程中的添加劑被廣泛研究。眾所周知，在鋼中添加鈮可顯著提高其硬度和耐腐蝕性，這使得含鈮合金材料在航空航天、汽車和結(jié)構(gòu)工程中被廣泛使用。
在這里，我們介紹用布魯克的XFlash? FlatQUAD探測(cè)器（圖1）在10 kV加速電壓條件下，以187.4 kcps的高計(jì)數(shù)率獲得的鈮微合金的EDS面分析。盡管加速電壓和電流（912 pA）較低，依然可實(shí)現(xiàn)約350nm的有效空間分辨率（圖4），這一點(diǎn)對(duì)于用EDS解決鈮的精細(xì)結(jié)構(gòu)至關(guān)重要。本應(yīng)用示例使用布魯克的 XFlash? FlatQUAD 探測(cè)器，將速度和分辨率與 EDS技術(shù)相結(jié)合。

Cu(In, Ga)Se2是一種低成本、高效率的太陽能電池材料，目前已經(jīng)市場(chǎng)化。了解CIGS太陽能電池中多層材料在不同過程條件下的化學(xué)成分，對(duì)于進(jìn)一步提高太陽能廣電轉(zhuǎn)換效率至關(guān)重要。此處顯示的是使用 XFlash? FlatQUAD EDS 探測(cè)器獲得的 CIGS 太陽能電池的 FIB/TEM 的EDS 面分析圖。

Si/C 核/殼結(jié)構(gòu)納米顆粒的超高分辨率元素面分析
對(duì)于束流敏感樣品（如 Si 納米顆粒）的 EDS 分析，通常需要非常低的電流和/或非常短的測(cè)量時(shí)間。然而當(dāng)需要高空間分辨率時(shí)，有必要使用低電壓來降低電子與樣品相互作用體積。對(duì)于傳統(tǒng)的 EDS 測(cè)試而言，這種分析條件極具挑戰(zhàn)性，因?yàn)榈碗妷旱?X 射線產(chǎn)率非常低，這就對(duì)應(yīng)很長(zhǎng)的測(cè)量時(shí)間。而長(zhǎng)時(shí)間的測(cè)量，很可能因?yàn)槭饕鸬臉悠菲贫绊懣臻g分辨率。
使用XFlash 和 FlatQUAD? EDS 測(cè)量則克服了這些限制。XFlash? FlatQUAD具有獨(dú)特的探測(cè)幾何構(gòu)型，可對(duì)低 X 射線產(chǎn)量的材料實(shí)現(xiàn)高靈敏度檢測(cè)，在低電流下提供高計(jì)數(shù)率。因此，XFlash? FlatQUAD EDS 是面分析束流敏感材料（即使具有粗糙表面）的的理想之選。
本示例提供硅納米顆粒的高分辨率圖（像素間距僅為 2 nm！測(cè)試參數(shù)為 5 kV、520 pA 和 377 s 采集時(shí)間，使用 XFlash FlatQUAD 進(jìn)行表征）。結(jié)果表明，這些納米顆粒的結(jié)構(gòu)為硅核（綠色）和碳?xì)ぃt色）。
Data courtesy：S.Rades et al., Royal Society of Chemistry Advances, 2014, 4, 49577