EVG610單面、雙面光刻機(jī) 微流控加工 納米壓印

EVG?610是一款緊湊型多功能研發(fā)系統(tǒng)，可處理零碎片和蕞大200 mm的晶圓。

EVG610支持各種標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝，如真空，硬，軟接觸和接近式曝光模式，可選擇背部對準(zhǔn)方式。此外，該系統(tǒng)還提供其他功能，包括鍵合對準(zhǔn)和納米壓印光刻（NIL）。EVG610提供快速處理和重新加工，以滿足不斷變化的用戶需求，轉(zhuǎn)換時(shí)間不到幾分鐘。其先進(jìn)的多用戶概念適合初學(xué)者到專家級各個(gè)階層用戶，非常適合大學(xué)和研發(fā)應(yīng)用。

1. 應(yīng)用

MEMS，RF器件，功率器件，化合物半導(dǎo)體等方面的圖形光刻應(yīng)用。

2. 特征

     晶圓/基片尺寸從零碎片到200毫米/ 8英寸

     頂部和底部對準(zhǔn)功能

     高精度對準(zhǔn)

     自動楔形補(bǔ)償序列

     電動的和程序控制的曝光間隙

     支持zui新的UV-LED技術(shù)

     蕞小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求

     分步流程指引

     遠(yuǎn)程技術(shù)支持

     多用戶概念（無限數(shù)量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權(quán)限，不同語言）

     敏捷的處理和轉(zhuǎn)換重新加工

     臺式或獨(dú)立式帶防振花崗巖臺面

     附加功能：

         鍵合對準(zhǔn)

         紅外對準(zhǔn)

         納米壓印光刻（NIL）

【技術(shù)參數(shù)】

1.掩模版-基板-晶圓尺寸

掩模版尺寸：5寸/7寸/9寸

基片/晶圓尺寸：100mm/150mm/200mm

晶圓厚度：高達(dá)10mm

2.對準(zhǔn)模式

頂部對準(zhǔn)精度：≤ ± 0,5 μm

底部對準(zhǔn)精度：≤ ± 2,0 μm

紅外對準(zhǔn)模式：≤ ± 2,0 μm/取決于基片的材料

3.頂部顯微鏡

移動范圍1：100mm（X軸：32-100mm；Y軸：-50/+30mm；）

移動范圍2：150mm（X軸：32-150mm；Y軸：-75/+30mm；）

移動范圍1：200mm（X軸：32-200mm；Y軸：-100/+30mm；）

可選：平坦的物鏡可以增加光程；帶有環(huán)形燈的暗場物鏡，可以增加對比度

4.底部顯微鏡

移動范圍1：100mm（X軸：30-100mm；Y軸：±12mm；）

移動范圍2：150mm（X軸：30-100mm；Y軸：±12mm；）

移動范圍1：200mm（X軸：30-100mm；Y軸：±12mm；）

可選：平坦的物鏡可以增加光程；帶有環(huán)形燈的暗場物鏡，可以增加對比度

5.曝光器件

（1）波長范圍：

NUV：350 - 450 nm

DUV：低至200 nm (可選)

（2）光源：

汞燈350W , 500W UV LED燈

（3）均勻性：

150mm：≤ 3%

200mm：≤ 4%

（4）濾光片：

汞燈：機(jī)械式

UV LED：軟件可調(diào)

6.曝光模式

接觸：硬、軟接觸，真空

曝光間隙：1 - 1000 μm

線寬精度：1μm

模式：CP(Hg/LED)、CD(Hg/LED)、 CT(Hg/LED) 、CI(LED)

可選：內(nèi)部，浸入，扇形

7.可選功能

鍵合對準(zhǔn)精度：≤ ± 2,0 μm

納米壓抑光刻（NIL）精度：≤ ± 2,0 μm

納米壓抑光刻（NIL）軟印章分辨率：≤ 50 nm圖形分辨率

8.設(shè)施

真空：< 150 mbar

壓縮氣體：6 bar

氮?dú)猓嚎蛇x2或者6 bar

排氣要求：汞燈需要；LED不需要

9.系統(tǒng)方式

系統(tǒng)：windows

文件分享和軟件備份

無限程序儲存，參數(shù)儲存在程序內(nèi)

支持多語言，含中文

實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程支持，診斷和排除故障

10.楔形補(bǔ)償

全自動- 軟件控制

11.規(guī)格

占地面積：0.55m2

高度：1.01m

重量：約250kg

納米壓印分辨率：≤ 40 nm（取決于模板和工藝）

支持工藝：Soft UV-NIL