概述

電容-電壓(C-V)測量廣泛用于半導體參數(shù)測試方面，尤其是MOS  CAP和MOSFET結(jié)構(gòu)。MOS(金屬-氧化物-半導體)結(jié)構(gòu)的電容是外加電壓的函數(shù)，MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線（簡稱C-V特性），C-V曲線測試可以方便的確定二氧化硅層厚度dox、襯底摻雜濃度N、氧化層中可動電荷面密度Q1、和固定電荷面密度Qfc等參數(shù)。

系統(tǒng)方案

普賽斯半導體功率器件C-V測試系統(tǒng)主要由源表、LCR表、矩陣開關和上位機軟件組成。LCR表支持的測量頻率范圍在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)負責提供可調(diào)直流電壓偏置，通過矩陣開關加載在待測件上。

進行 C-V 測量時，通常在電容兩端施加直流偏壓，同時利用一個交流信號進行測量。一般使用的交流信號頻率在10KHz     到1MHz之間。所加載的直流偏壓用作直流電壓掃描，掃描過程中測試待測器件待測器件的交流電壓和電流，從而計算出不同電壓下的電容值。

系統(tǒng)優(yōu)勢

頻率范圍寬：

• 頻率范圍10Hz~1MHz連續(xù)頻率點可調(diào)；        

             

高精度、大動態(tài)范圍：提供0V~3500V偏壓范圍，精度0.1%；

內(nèi)置CV測試：內(nèi)置自動化CV測試軟件，包含C-V（電容-電壓），C-T（電容-時間），C-F（電容-頻率）等多項測試測試功能;

兼容IV測試：同時支持擊穿特性以及漏電流特性測試；

實時曲線繪制：軟件界面直觀展示項目測試數(shù)據(jù)及曲線，便于監(jiān)控；

擴展性強：系統(tǒng)采用模塊化設計，可根據(jù)需求靈活搭配； 




參數(shù)指標

典型配置

普賽斯以自主研發(fā)為導向，深耕半導體測試領域，在I-V測試上積累了豐富的經(jīng)驗，先后推出了直流源表，脈沖源表、脈沖恒流源、脈沖恒壓源、功率器件靜態(tài)測試系統(tǒng)、大功率激光器老化測試系統(tǒng)等測試設備，廣泛應用于高校研究所、實驗室，新能源，光伏，風電，軌交，變頻器等場景。普賽斯全新升級S系列數(shù)字源表更大直流,更高精度,科研實驗必備源表,標準的SCPI指令集,上位機軟件功能豐富，歡迎新老客戶隨時來電咨詢！