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感應耦合等離子刻蝕機 STS Multiplex ICP

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一、設 備 信 息 MACHINE INFORMATION

1、產品信息 Product Information: 6英寸  硅片 (MEMS Process)

2、設備重量 Unit Weight: 1200Kg

3、運行數(shù)量 Run Number: Single wafer

4、腔體配置 Chamber Configuraton∶ 1X Chamber

5、設備尺寸 Machine Size: 詳見附件 《設備機械 圖紙》See Attachment


二、硬件配置 HARDWARE CONFIGURATION

1.MAIN body        lea    

2, Load lock           lea   

3, Turbo Pump        lea 

4, Controller BOX   lea

5. RF Generater     2ea

6. Vaccum Pump   2ea

7, Chilller   2ea

8, Gas box  1ea


三、設備方面 EQUIPMENT

1.機臺正常起輝

2.背 He流量不大于 40SCCM

3.背 He漏率不大于 30mtor/min

4. 腔體背底壓力不大于 9*e - 5 Tor

5.刻蝕速度大于 5um/min

6.刻蝕片內均一性小于+/-5%

7.選擇比 si:  PR大于 100: 1;si: siO2大于 150:1

8.側壁角度 :91- 95°


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