PVT碳化硅晶體生長(zhǎng)工藝主要通過(guò)設(shè)置合適的長(zhǎng)晶溫度以及長(zhǎng)晶氣壓，在此溫度以及氣壓下SiC發(fā)生明顯的分解與升華，產(chǎn)生Si和SiC蒸氣壓，在高溫爐內(nèi)形成的溫度梯度作用下向低溫方向輸送并凝聚在頂部和底部較低溫度處，形成SiC晶體。

Intelligent PVT SiC System (IPS)系列SiC晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)是實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量SiC晶體生長(zhǎng)、高純度原料合成、高溫晶體熱處理的專(zhuān)業(yè)設(shè)備。廣泛應(yīng)用于SiC晶體生長(zhǎng)、原料合成、晶體熱處理領(lǐng)域?？梢陨L(zhǎng)6/8英寸的晶錠。

．

真空爐腔系統(tǒng)較為限本底真空值達(dá)到≤5.0E-5Pa，升壓率≤3Pa/12h，保證晶體生長(zhǎng)的穩(wěn)定性

．智能化生長(zhǎng)及監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)多種制程精確定制，工藝優(yōu)化，長(zhǎng)晶全過(guò)程實(shí)時(shí)監(jiān)控，數(shù)據(jù)可視化存檔

．新型感應(yīng)加熱線(xiàn)圈設(shè)計(jì)，有效提高熱場(chǎng)加熱的均勻性和穩(wěn)定性
．業(yè)內(nèi)首 創(chuàng)的PIM自檢系統(tǒng)，有效減免制程時(shí)間浪費(fèi)
．穩(wěn)定可靠的水冷系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了水道管路溫度、流量的實(shí)時(shí)監(jiān)控，保證了生長(zhǎng)室溫場(chǎng)的穩(wěn)定性
．可生產(chǎn)6英寸P級(jí)碳化硅襯底，微管缺陷密度＜0.5個(gè)／cm2，電阻率達(dá)0.015-0.0280

應(yīng)用

高功率IGBT

智能逆變器

射頻器件

5G通訊

風(fēng)力發(fā)電

新能源汽車(chē)

高動(dòng)力系統(tǒng)

核能