適用于多種晶圓量測(cè)應(yīng)用，
? 如組件特性描述和建模、射頻和毫米波、晶圓可靠性 (WLR) 和失效分析 (FA)
MPI ShielDEnvironment? 屏蔽環(huán)境
? 專為 EMI / RFI / Light-Tight 屏蔽所設(shè)計(jì)的精密量測(cè)環(huán)境
? 支援飛安低漏電量量測(cè)
? 溫度量測(cè)范圍 -60 °C 至 300 °C

TS200-SE Probe System細(xì)節(jié)優(yōu)勢(shì)

MPI TS200-SE手動(dòng)探針測(cè)試系統(tǒng)具有無與倫比的功能。具有高度可重復(fù)性（1μm）的壓板提升設(shè)計(jì)，具有用于安全，接觸，分離（300μm）和加載（3mm）的三個(gè)離散位置。這些功能可防止意外的探針或晶圓損壞，同時(shí)提供直觀的控制，準(zhǔn)確的觸點(diǎn)定位和安全設(shè)置。附加的Probe Hover Control?具有懸停高度（50、100或150 μm），可輕松方便地將探頭與Chuck對(duì)齊。

MPI ShielDEnvironment?是一個(gè)高性能的屏蔽系統(tǒng)，可為超低噪聲，低電容測(cè)量提供出色的EMI和不透光的屏蔽測(cè)試環(huán)境。

MPI ShielDEnvironment?的一個(gè)完全可配置的部分，它允許多達(dá) 4個(gè)端口的RF或多達(dá)8個(gè)端口的DC / Kelvin等多種組合測(cè)試。

MPI ShielDCap?便于屏蔽，易于多種搭配，在簡(jiǎn)化日常操作方面發(fā)揮了重要作用。

完整的ShielDCap?可以很容易地用EMI屏蔽版本的探針卡支架替換。

空氣軸承

MPI獨(dú)特的氣墊載物臺(tái)設(shè)計(jì)，具有簡(jiǎn)單的單手冰球控制，為快速的XY導(dǎo)航和晶圓裝載提供了無與倫比的操作便利性，同時(shí)又具有額外精密的25x25mm的XY-Theta千分尺機(jī)芯，不影響精確定位能力。

獨(dú)特的卡盤Z調(diào)整

TS200-SE除空氣軸承XY工作臺(tái)外還包括5mm的Z吸盤調(diào)整（μm分辨率），可實(shí)現(xiàn)精確的接觸/超程控制或探針卡跌落尖端校正。

1毫米刻度指示器為操作員提供了簡(jiǎn)便的反饋。另外20毫米氣動(dòng)抬升搭配提供了簡(jiǎn)便的快速升降功能。

多種卡盤選項(xiàng)

TS200-SE可提供多種卡盤選件， 以滿足不同的預(yù)算和應(yīng)用要求：同軸，三軸或射頻、高功率等，RF卡盤獨(dú)特帶有兩個(gè)由陶瓷材料制成的輔助卡盤，用于精確的射頻校準(zhǔn)；-60°C至300°C的多種ERS AirCool卡盤。

溫度控制集成

晶圓裝載門可以在15°C以下的任何溫度下鎖定，此獨(dú)特功能使TS200-SE成為市場(chǎng)上安全的手動(dòng)探針臺(tái)。

此外，溫控系統(tǒng)可以通過集成式的觸摸屏來操作，該觸摸屏放置在操作員面的便利位置，以實(shí)現(xiàn)快速，操作和即時(shí)的反饋。

ERS獨(dú)特的AC3冷卻技術(shù)

MPI旗下探針臺(tái)系統(tǒng)均采用ERS獨(dú)特的AC3冷卻技術(shù)及其空氣管理系統(tǒng)，可直接從“已用”空氣中清除MPI ShielDEnvironment?，與市場(chǎng)上的其他系統(tǒng)相比，可減少多達(dá)30％至50％的干燥空氣消耗。

多種光學(xué)選項(xiàng)

MPI光學(xué)器件可以選擇單筒顯微鏡MPI SuperZoom?SZ10，高達(dá)12倍光學(xué)變焦的MegaZoom?MZ12或超過42毫米工作距離的EeyZoom?EZ10 ——其具有人體工程學(xué)20倍目鏡的10倍光學(xué)變焦系統(tǒng)，90mm工作距離和低至2um以下的光學(xué)分辨率。

獨(dú)特的升途徑

MPI旗下全系列探針臺(tái)系統(tǒng)均具有模塊化設(shè)計(jì)創(chuàng)造了獨(dú)特的升途徑。所有TS200-SE探測(cè)附件，例如熱卡盤，顯微鏡和定位器，都可以升或重新配置，以適應(yīng)涵蓋工具壽命的各種應(yīng)用需求，從而使擁有成本降低。

具有ShielDEnvironment?的MPI TS200-SE探針系統(tǒng)可提供大的EMI屏蔽，并允許進(jìn)行低噪聲的器件在片測(cè)量，從而可廣泛用于各種應(yīng)用，例如器件表征和建模，RF /微波，晶片可靠性，失效分析， 設(shè)計(jì)驗(yàn)證和大功率。