本設(shè)備主要用來研究電介質(zhì)材料的自漏電性。
由于測(cè)試條件非常接近實(shí)際情況，因此通過這種方式可容易地測(cè)試應(yīng)用于DRAM材料的合適性。

技術(shù)說明：

電壓脈沖發(fā)生器：

• 大電壓放大: +/- 10 V；

• 小脈沖長(zhǎng)度：50 ns；

• 大脈沖長(zhǎng)度：640 μs。

開關(guān)性能：  

• 激勵(lì)弛豫時(shí)間<2ns；

• Ron< 50 ?；

• Roff >1013 ?。

高阻抗電流計(jì)：

• 輸入阻抗：1013 ?；

• 輸入電容：30 fF。