通過將產(chǎn)品固定在拋光頭的較下面，拋光時(shí)，旋轉(zhuǎn)的拋光頭以一定的壓力壓在旋轉(zhuǎn)的拋光墊上，拋光液在拋光墊的傳輸和離心力的作用下，均勻分布其上，在硅片和拋光墊之間形成一層拋光液液體薄膜。拋光液中的化學(xué)成分與產(chǎn)品表面材料產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，將不溶的物質(zhì)轉(zhuǎn)化為易溶物質(zhì)，或者將硬度高的物質(zhì)進(jìn)行軟化，然后通過磨粒的微機(jī)械摩擦作用將這些化學(xué)反應(yīng)物從產(chǎn)品表面去除，溶入流動(dòng)的液體中帶走，即在化學(xué)去膜和機(jī)械去膜的交替過程中實(shí)現(xiàn)平坦化的目的，通過先進(jìn)的工藝可實(shí)現(xiàn)納米級(jí)別的粗糙度效果。

支持存儲(chǔ)多種拋光工藝，操作簡單便捷，支持2/4/6寸產(chǎn)品拋光，可提供常見晶圓加工工藝，24小時(shí)內(nèi)售后及時(shí)響應(yīng)。

二、技術(shù)參數(shù)：

基礎(chǔ)配置：

拋光頭模塊：氣膜加壓，六個(gè)分區(qū)較為立控制

摩擦力模塊：利用電機(jī)電流表征摩擦力

樣品加工能力：2/4/6英寸

拋光實(shí)現(xiàn)方式：觸屏程序控制

拋光頭下壓力：0~4 psi（4英寸）

拋光頭轉(zhuǎn)速：0~300 rpm，連續(xù)可控

拋光盤轉(zhuǎn)速：0~300 rpm，連續(xù)可控

修整器轉(zhuǎn)速：0~300 rpm，連續(xù)可控

拋光頭/修整器往復(fù)：行程90 mm，速度連續(xù)可控

拋光液：1路，蠕動(dòng)泵供液，流速0~300 mL/min

去離子水：1路，蠕動(dòng)泵供液，流速0~300 mL/min

升級(jí)配置：

電化學(xué)模塊：電位范圍±10 V，電流范圍±250 mA，支持三電較為、兩電較為體系，支持多種測量方法，如循環(huán)伏安法等。

紫外光模塊：波長λ=95 nm的紫外光源、發(fā)光面積1020*100（mm）、耗電功率200W、相對(duì)光效2000W、能量峰值614mW。

三、案例

銅空白晶圓

銅圖案化晶圓

銅/鎳MEMS晶圓

金屬基底