溫度參數(shù)：

· 溫度范圍：1.85K-400K

· VSM高溫爐可擴展高溫至1000K

· He3制冷機可擴展低溫至0.5K

· 稀釋制冷機可擴展低溫至50mK

· 降溫時間：從300K降至1.9K并穩(wěn)定<40min

· 溫度穩(wěn)定性：±0.1% for T<20K（典型值）

                   ±0.02% for T>20K（典型值)

· 控溫模式：連續(xù)低溫控制和溫度掃描模式

PPMS DynaCool溫度掃描曲線，300K降至1.9K少于40分鐘

磁場參數(shù)：

 9T磁體 

  磁場范圍：±90000 Oe

  達到滿場時間：<8min

  掃場速率：0.1——200 Oe/S

  初次啟動時間：~16小時 

14T磁體

磁場范圍：±140000 Oe

達到滿場時間：<40min

掃場速率：0.2——120 Oe/S（低場時更快）

初次啟動時間：~40小時 

新型交流磁學(xué)性質(zhì)測量選件ACMS II

可同時測AC和DC的磁學(xué)性質(zhì)，而且測交流磁化率精度很高，可與SQUID媲美。 

交流磁化率 

靈敏度: 1 x 10-8 emu

交流場: 0.005 Oe – 15 Oe (peak)

頻率: 10 Hz – 10 KHz

特有的校準(zhǔn)線圈組逐點測量并消除了背景相漂移

直流磁化強度

靈敏度: 5 x 10-6 emu 

    交流磁化率線圈原理圖 

光誘導(dǎo)磁測量選件（VSM FOSH）

 該組件為研究光激發(fā)情況下物質(zhì)磁性變化的**選擇?？蛇x波長連續(xù)可調(diào)的光源。

單色光源 (MLS) 

波長范圍: 360 nm to 845 nm

光源: 氙燈 – 150 W

光纖：325 - 900 nm (D320-UV)

      375-2250 nm (D320-IR)

樣品尺寸: 1.6 mm (max)

靈敏度: < 1 x 10-4 emu

可控電子快門 

      光磁樣品桿 

扭矩磁強計選件（Torque Magnetometer） 

磁各向異性的高精度測量組件。

扭矩背景噪音： 1×10-9 Nm

磁矩靈敏度： 1×10-7 emu @ 9T 1×10-8 emu @ 14T

扭矩測量范圍： ±10-5 Nm

芯片尺寸： 6×6×1 mm3

安裝樣品區(qū)域： 2×2 mm2

最大樣品尺寸： 1.5×1.5×0.5 mm3

最大樣品質(zhì)量： 10 mg

角速度（度/秒）： 0.05 - 10（標(biāo)準(zhǔn)型） 0.0045 - 1（高精度                   型）

角度步長： 0.05°（標(biāo)準(zhǔn)型）0.0045°（高精度型）

磁扭矩高精度芯片 

            磁各向異性測量所用旋轉(zhuǎn)樣品桿 

功能選件——電學(xué)測量

直流電輸運選件（ DC Resistivity ） 

電流范圍： 5nA - 5mA

最高電壓： 95mV

電壓靈敏度： 20nV （典型值）

電阻測量范圍： 4μΩ - 4MΩ

測量精度： 0.01% （典型值）

高級電輸運測量選件（ETO） 

噪聲基：1 nV/rtHz

電壓輸出范圍：± 4.5 V (一倍增益時)

電流范圍：10nA-100mA 持續(xù)操作

頻率范圍：直流或交流（0.1Hz-200Hz）

電阻測量精度：0.1% (R < 200 kΩ)  

              0.2% (R > 200 kΩ)

相對靈敏度：± 10 nΩ RMS (典型值)

電阻測量范圍：四線法10-8Ω-106Ω

            二線法106Ω-1010Ω

                 電測量用樣品托 

范德堡法測電阻                channel1四點法測電阻

                   channel2霍爾測量 

功能選件——熱學(xué)測量

比熱測量選件（Heat Capacity）

l  高精度、高自動化程度的設(shè)計

l  便捷的樣品安裝裝置

l  具有自動馳豫的精密量熱學(xué)技術(shù)

l  具有完備的數(shù)據(jù)收集電子設(shè)備和數(shù)據(jù)分析軟件

l  采用出色的雙 ι (two tau model? )模型擬合技術(shù)

l  對于每一個測量點系統(tǒng)自動計算和記錄德拜溫度

測量溫度范圍：1.9K - 400K（從2K開始出點）

              配合He3 制冷機可達<0.4 K

              配合稀釋制冷機可達50 mK

可測比熱范圍：1μJ/K – 100mJ/K

樣品尺寸：    1mg - 500mg（典型值20mg）

測量靈敏度：  10nJ/K @2K

測量精度：    <5% @2K - 300K（典型值<2%） 

       比熱專用樣品托 

               不同磁場下比熱隨溫度的變化曲線 

熱輸運測量選件（TTO） 

· 獨特的設(shè)計使得PPMS配合該選件, 能夠進行以下參數(shù)的測量:

      AC 電阻率

      熱導(dǎo); 熱導(dǎo)率

      塞貝克系數(shù)

      熱電品質(zhì)因數(shù)

· 利用專用的樣品托進行樣品安裝和固定, 不需要特殊的樣品桿

· 四端頭引線法將接線頭的熱阻和電阻效應(yīng)降到zuidi 

· 在溫度不斷變化的情況下進行連續(xù)測量,能夠得到高密度的數(shù)據(jù)

· 特有的系統(tǒng)自適應(yīng)測量方案非常適合研究陌生材料

· 軟件可以精確的動態(tài)建立熱流量模型，補償各種 可能的系統(tǒng)誤差

· 全自動的測量過程，操作簡單

熱傳導(dǎo)測量精度

  ± 5 %或± 2 μW/K， T < 15 K

  ± 5 %或± 20 μW/K， 15 K < T < 200 K

  ± 5 %或± 0.5 mW/K，200 K < T < 300 K

  ± 5 %或± 1 mW/K， T > 300 K

Seebeck 系數(shù)

  測量精度：± 5 %或± 0.5μV/K 或± 2 μV

  測量范圍：1 μV/K - 1 V/K

                     熱輸運測量樣品示意圖 

                       熱輸運腔外檢測裝置 

電阻率測量

  最大電流200mA

品質(zhì)因子測量

  測量精度：±15%（取決于S）

  測量速度（典型值）

  ±0.5 K/min,T>20 K；±0.2 K/min,T<20 K