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德國Diener PECVD等離子體化學氣相沉積設備

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該PECVD系統(tǒng)可以沉積高質量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、類金剛石薄膜、硬質薄膜、光學薄膜等。


主要技術參數(shù):

PC控制軟件

RF發(fā)生器 0~3000W 脈沖模式

腔體防腐處理,400*400*1500mm,240L

腔體加熱80℃

帶觀察窗

多路工藝氣體通道,MFC控制 防腐處理

HMDSO單體通道

易燃易爆氣體安全閥

Gas Shower氣浴電極

設備外尺寸2000*600*1700mm

進口真空泵組

電壓 3項400V


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