普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備，產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測量和分析。如果您對單管igbt測試設(shè)備參數(shù)分析儀感興趣，歡迎隨時(shí)聯(lián)系我們！

產(chǎn)品特點(diǎn)：

30μV-1200V,1pA-100A寬量程測試能力；

測量精度高,全量程下可達(dá)0.03%精度；

內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)器件測試程序，直接調(diào)用測試簡便；

自動(dòng)實(shí)時(shí)參數(shù)提取，數(shù)據(jù)繪圖、分析函數(shù)；

在CV和IV測量之間快速切換而無需重新布線；
提供靈活的夾具定制方案，兼容性強(qiáng)；

免費(fèi)提供上位機(jī)軟件及SCPI指令集；

技術(shù)規(guī)格

典型應(yīng)用：

納米、柔性等材料特性分析；

二極管；

MOSFET、BJT、晶體管、IGBT；

第三代半導(dǎo)體材料/器件；

有機(jī)OFET器件；

LED、OLED、光電器件；

半導(dǎo)體電阻式等傳感器；

EEL、VCSEL、PD、APD等激光二極管；

電阻率系數(shù)和霍爾效應(yīng)測量；

太陽能電池；

非易失性存儲(chǔ)設(shè)備；

失效分析；

單管igbt測試設(shè)備參數(shù)分析儀訂貨信息