PMST高電壓半導體器件功率分析儀是武漢普賽斯正向設計，精益打造的高精密電壓/電流測試分析系統(tǒng)，是一致能夠提供IV，CV、跨導等豐富功能的綜合測試系統(tǒng)，具有高精度、寬測量范圍、模塊化設計、輕松升級擴展等優(yōu)勢，旨在全面滿足從基礎功率二極管、MOSFET.  BJT、IGBT到寬禁帶半導體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測試，并具有著越的測量效率、一致性與可靠性。讓任何工程師使用它都能變成行業(yè)專家。

針對用戶不同測試場景的使用需求，普賽斯全新推出PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)、PMST-MP功率器件靜態(tài)參數(shù)半自動化測試系統(tǒng)、PMST-AP功率器件靜態(tài)參數(shù)全自動化測試系統(tǒng)三款功事器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)。

從實驗室到小批量、大批量產(chǎn)線的全覆蓋

從Si IGBT. SiC MOS到GaN     HEMT的全國蓋

從晶圓、芯片、器件、模塊到PM的全覆蓋

 產(chǎn)品特點

 高電壓、大電流

 具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達3500V(蕞大可擴展至10kV)

 具有大電流測量/輸出能力,電流高達6000A(多模塊并聯(lián))

 高精度測量

  nA級漏電流,  μΩ級導通電阻

  0.1%精度測量

  模塊化配置

  可根據(jù)實際測試需要靈活配置多種測量單元系統(tǒng)預留升級空間,后期可添加或升級測量單元

  測試效率高

  內置專用開關矩陣,根據(jù)測試項目自動切換電路與測量單元

  支持國標全指標的一鍵測試

  擴展性好

  支持常溫及高溫測試可靈活定制各種夾具

普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備，產(chǎn)品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現(xiàn)功率半導體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測量和分析。如果您對普賽斯功率半導體器件靜態(tài)參數(shù)測試方案和國產(chǎn)化高精度源表感興趣，歡迎隨時聯(lián)系我們！