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GaN mos功率器件CV測(cè)試儀器CV測(cè)試機(jī)

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產(chǎn)品特點(diǎn)

SPA-6100型GaN mos功率器件CV測(cè)試儀器CV測(cè)試機(jī)可以幫助用戶(hù)根據(jù)測(cè)試需要,靈活選配測(cè)量單元進(jìn)行升級(jí)。產(chǎn)品支持Z高1200V電壓、100A大電流、1pA小電流分辨率的測(cè)量,同時(shí)檢測(cè)10kHz至1MHz范圍內(nèi)的多頻AC電容測(cè)量

詳細(xì)介紹

普賽斯儀表專(zhuān)業(yè)研究和開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測(cè)試的專(zhuān)業(yè)智能裝備,產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU)的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案,為SiC和GaN器件提供可靠的測(cè)試手段,實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測(cè)量和分析。如果您對(duì)普賽斯功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案和國(guó)產(chǎn)化高精度源表感興趣,歡迎隨時(shí)聯(lián)系我們!

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SPA-6100型GaN mos功率器件CV測(cè)試儀器CV測(cè)試機(jī)是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng),具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試,旨在幫助加快前沿材料研究、半導(dǎo)體芯片器件設(shè)計(jì)以及先進(jìn)工藝的開(kāi)發(fā),具有桌越的測(cè)量效率與可靠性。


基于模塊化的體系結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),SPA-6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀可以幫助用戶(hù)根據(jù)測(cè)試需要,靈活選配測(cè)量單元進(jìn)行升級(jí)。產(chǎn)品支持Z高1200V電壓、100A大電流、1pA小電流分辨率的測(cè)量,同時(shí)檢測(cè)10kHz至1MHz范圍內(nèi)的多頻AC電容測(cè)量。SPA-6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀搭載普賽斯自主開(kāi)發(fā)的專(zhuān)用半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試軟件,支持交互式手動(dòng)操作或結(jié)合探針臺(tái)的自動(dòng)操作,能夠從測(cè)量設(shè)置、執(zhí)行、結(jié)果分析到數(shù)據(jù)管理的整個(gè)過(guò)程,實(shí)現(xiàn)高效和可重復(fù)的器件表征;也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用,滿足高低溫測(cè)試需求。


產(chǎn)品特點(diǎn):


30μV-1200V,1pA-100A寬量程測(cè)試能力;


測(cè)量精度高,全量程下可達(dá)0.03%精度;


內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)器件測(cè)試程序,直接調(diào)用測(cè)試簡(jiǎn)便;


自動(dòng)實(shí)時(shí)參數(shù)提取,數(shù)據(jù)繪圖、分析函數(shù);


在CV和IV測(cè)量之間快速切換而無(wú)需重新布線;
提供靈活的夾具定制方案,兼容性強(qiáng);


免費(fèi)提供上位機(jī)軟件及SCPI指令集;


典型應(yīng)用:


納米、柔性等材料特性分析;


二極管;


MOSFET、BJT、晶體管、IGBT;


第三代半導(dǎo)體材料/器件;


有機(jī)OFET器件;


LED、OLED、光電器件;


半導(dǎo)體電阻式等傳感器;


EEL、VCSEL、PD、APD等激光二極管;


電阻率系數(shù)和霍爾效應(yīng)測(cè)量;


太陽(yáng)能電池;


非易失性存儲(chǔ)設(shè)備;


失效分析;


GaN mos功率器件CV測(cè)試儀器CV測(cè)試機(jī)訂貨信息

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