IGBT測(cè)試難點(diǎn)：

1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多個(gè)測(cè)量模塊協(xié)同測(cè)試。

2、IGBT的漏電流越小越好，所以需要高精度的設(shè)備進(jìn)行測(cè)試。

3、IGBT動(dòng)態(tài)電流范圍大，測(cè)試時(shí)需要量程范圍廣，且量程可以自動(dòng)切換的模塊進(jìn)行測(cè)試。

4、由于IGBT工作在強(qiáng)電流下，自加熱效應(yīng)明顯，脈沖測(cè)試可以減少自加熱效應(yīng)，所以MOSFET需要進(jìn)行脈沖IV測(cè)試，用于評(píng)估期間的自加熱特性。

5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內(nèi)容，且與其在高頻應(yīng)用有密切關(guān)系。所以IGBT的電容測(cè)試非常重要。

6、IGBT開關(guān)特性非常重要，需要進(jìn)行雙脈沖動(dòng)態(tài)參數(shù)的測(cè)試。

功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表，普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向，深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域，在I-V測(cè)試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)，先后推出了直流源表，脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測(cè)單元等測(cè)試設(shè)備，廣泛應(yīng)用于廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體測(cè)試行業(yè)； 本功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)可以完成多項(xiàng)參數(shù)測(cè)試，如ICES、IGESF、IGESR、BVCES、VGETH、VCESAT、VF等。

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)簡(jiǎn)介  

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，集多種測(cè)量和分析功能一體，可以J準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)精確測(cè)量、nA級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容，如輸入電容、輸出電容  、反向傳輸電容等。

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)配置有多種測(cè)量單元模塊，模塊化的設(shè)計(jì)測(cè)試方法  靈活，能夠極大方便用戶添加或升級(jí)測(cè)量模塊，適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。

系統(tǒng)組成

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，主要由測(cè)試儀表、上位機(jī)軟件、電腦、矩陣開  關(guān)、夾具、高壓及大電流信號(hào)線等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的靜態(tài)測(cè)試主機(jī)，內(nèi)置多種電壓、電流等級(jí)的測(cè)量單元。結(jié)合自主開發(fā)的上位機(jī)軟件控制測(cè)試主機(jī)，可根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目需要，選擇不同的電壓、電流等級(jí)，以滿足不同測(cè)試需求。  

系統(tǒng)主機(jī)的測(cè)量單元，主要包括普賽斯P300高精度臺(tái)式脈沖源表、HCPL系列高電流脈沖電  源、E系列高壓源測(cè)單元、C-V測(cè)量單元等。其中P300高精度臺(tái)式脈沖源表用于柵極驅(qū)動(dòng)與測(cè)試使用，Z大支持30V@10A脈沖輸出與測(cè)試；HCPL系列高電流脈沖電源用于集電極、發(fā)射極之間電流測(cè)試及續(xù)流二極管的測(cè)試，15μs的超快電流上升沿，自帶電壓采樣，單設(shè)備支持Z大1000A脈沖電流輸出；E系列高壓源測(cè)單元用于集電極、發(fā)射極之間電壓，漏電流測(cè)試，Z高支持3500V電壓輸出，并且自帶電流測(cè)量功能。系統(tǒng)的電壓、電流測(cè)量單元，均采用多量程設(shè)計(jì)， 精度為0.1%。  

產(chǎn)品特點(diǎn)

• 高電壓：支持高達(dá)3.5KV高電壓測(cè)試（Z大擴(kuò)展至10kV）；    
  大電流：支持高達(dá)4KA大電流測(cè)試（多模塊并聯(lián)）；
  高精度：支持uΩ級(jí)導(dǎo)通電阻、nA級(jí)漏電流測(cè)試；
  豐富模板：內(nèi)置豐富的測(cè)試模板，方便用戶快速配置測(cè)試參數(shù)；
  配置導(dǎo)出：支持一鍵導(dǎo)出參數(shù)配置及一鍵啟動(dòng)測(cè)試功能；
  數(shù)據(jù)預(yù)覽及導(dǎo)出：支持圖形界面以及表格展示測(cè)試結(jié)果，亦可一鍵導(dǎo)出；
  模塊化設(shè)計(jì)：內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，可自由配置，方便維護(hù)；
  可拓展：支持拓展溫控功能，方便監(jiān)控系統(tǒng)運(yùn)行溫度；
  可定制開發(fā)：可根據(jù)用戶測(cè)試場(chǎng)景定制化開發(fā)；

  
  

  技術(shù)指標(biāo)

功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)用

     功率器件如二極管、三極管、MOS管、IGBT、SIC、GaN；