產(chǎn)品介紹：

PMMA & Copolymer（MMA（8.5）MAA）- E-Beam光刻膠

PMMA（Polymethacrylate）是一種非常適合許多成像和非成像微電子應用程序的聚合物材料。用于電子束工藝曝光，如T-gate制造，臨時芯片接合工藝如晶圓減薄，用作保護層和臨時粘合劑。PMMA光刻膠是PMMA聚合物溶解在特定的溶劑中形成特定分子量的材料，如苯甲醚（安全溶劑）然后過濾。使用傳統(tǒng)曝光，直寫式曝光或X-射線曝光使聚合物斷鏈，從而在光刻膠的曝光和未曝光區(qū)域間產(chǎn)生溶解度差異，實現(xiàn)非常高分辨率的圖形。

?非常適合于電子束光刻和X射線曝光

?高分辨率：< 0.1μm

?廣范圍分子量和粘度選擇

?顯影劑：MIBK:IPA

?溶劑：苯甲醚（A）和氯苯（C）

?應用包括電子束光刻，多層T-Gate剝離，晶圓減薄等。

Copolymer光刻膠是MMA和8.5%甲基丙烯酸的混合物。Copolymer（8.5）MAA并PMMA光刻膠堆疊，是常用在雙層剝離工藝實現(xiàn)獨立CD控制。被配置在乳酸乙酯的標準Copolymer光刻膠，可提供寬范圍的粘度（薄膜厚度）。所有PMMA和Copolymer光刻膠的包裝：從500毫升到20升。

PMGI與LOR-雙層Lift-off光刻膠

?高分辨率（< 0.25微米）Lift-off工藝

?適用厚（> 3μm）的金屬沉積

?對Si，GaAs，GaN等常見基底有良好的粘附力

?高耐熱性（<300°C）

?易于剝離，即使通過高熱制程也不影響剝離性

?常應用于三五族金屬制程，microLED等應用

LOR C系列TV FiL -孔洞暫時填補光刻膠

?可完整填補高深寬比（> 1:5）之孔洞/溝渠且無氣泡問題

?可藉由高熱reflow來達到表面平坦效果

?對Si，GaAs，GaN等常見基底有良好的粘附力

?高耐熱性（<300°C）

?易于剝離，即使通過高熱制程也不影響剝離性

PermiNex? - 晶圓鍵合粘合劑

PermiNex? 1000 - Solvent basePermiNex? 2000 - Aqueous base

PermiNex? 1000和2000系列光刻膠是一種可用UV光圖形化之永 久性黏合材料，可用于制作腔體結(jié)構。例如需要精密對準與低溫制程的BAW/SAW/CIS之封裝與微流道應用。

材料特性：

?非氣密型永 久晶圓黏著劑

?負型光刻膠

?低金屬腐蝕

?可用水性或溶劑型顯影劑顯影

?深寬比達3:1

?低溫制程（< 200°C）

?高品質(zhì)，無孔洞的粘著

?與玻璃，Si都有絕 佳的附著力

?可與后續(xù)制程良好搭配（切割，焊接等）和高可靠性（HAST，TST）

KMRD - 01 5 A -低溫固化PA材料用于晶圓級封裝的線路重布層

材料特性：

?水性顯影劑，負型聚合物光刻膠

?低溫單階固化：1小時@ 185℃

?制程中的低收縮與低薄膜損失特性

?良好的化學與熱穩(wěn)定性

?出色的可加工性與曝光寬容度

?低模數(shù)和高強度

?線路重布層具有良好的電性質(zhì)和機械性質(zhì)

?可低溫固化

?優(yōu)異的HAST和TCT表現(xiàn)

KMSFTM 1000 -低應力介電光阻

材料特性：

?負型永 久型光阻

?低溫固化（< 175°C）

?深寬比1:1

?極低內(nèi)聚力避免基材翹曲問題

?高耐化性

?高附著性

?低吸濕性（23?C/50%RH for 24 hr，0.1%）