詳細介紹

霍爾效應測試儀主要用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數、導電類型等重要參數，而這些參數是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此霍爾效應測試儀是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性必備的工具。

ECOPIA公司的HMS系列霍爾效應測量系統(tǒng)主要由恒電流源、范德堡法則終端轉換器、低溫(77K)測量系統(tǒng)及磁場強度輸入系統(tǒng)組成，擁有研究半導體材料霍爾效應所有的部件和配置，是一套非常成熟的儀器系統(tǒng)。同時HMS系列儀器獲得多項霍爾效應測量系統(tǒng)、測量方法的ZG，代表了霍爾效應測量的品質及合理的產品價格，并為客戶所認可。該產品2004年7月通過CE認證。

產品特點：

1、 可靠的精度及重現性
恒電流源(1nA~20mA)采用六級電流范圍設置，將可以接收的誤差降到zuidi；范德堡法則轉換使用非接觸裝置有效降低儀器噪聲；軟硬件有針對性的設計，確保每個實驗數據均為多次測試的平均值，使儀器擁有非常好的數據重現性。
2、 產品小型化及操作簡單化
小尺寸的磁場強度輸入系統(tǒng)使用永磁體和液氮低溫測量系統(tǒng)(77K)，確保儀器操作非常簡單；兩種不同尺寸的傳統(tǒng)樣品板(20*20mm、6*6mm)及帶彈簧夾片的樣品板(SPCB)，使得不同尺寸不同材料的薄膜樣品更容易測量，區(qū)別于傳統(tǒng)樣品板的彈簧夾片樣品板使得霍爾電極制作更方便且對樣品損傷更小。
3、I-V曲線及I-R曲線測量
采用圖表的方式，測量探針四點(A、B、C、D)間電流-電壓及電流-電阻關系，并以此評判樣品的歐姆接觸好壞、了解樣品的基本的電學特性。
4、 多樣的實驗結果
實驗結果由軟件自動計算得到，可同時得到體載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(Hall Coefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)、電阻的縱橫比率(Vertical/Horizontal ratio of resistance)等等。

產品組成：

主機(精密恒電流源+范德堡法則終端轉換器) / 磁體包(包括樣品板) / 軟件等。

[HMS-3000軟件界面一]

[HMS-3000軟件界面二(I-V和I-R曲線測量)]

產品規(guī)格：

1、 主要儀器參數
輸入電流：1nA ~ 20mA；

電阻率：10exp(-5) ~ 10exp7 Ω.cm；

載流子濃度：10exp7 ~ 10exp21 cm-3；

遷移率：1 ~ 10exp7 cm2/Volt.sec；

磁場強度：0.37T, 0.55T, 1T, 0.25~1T變場磁體；

樣品測量板：PCB樣品板，SPCB彈簧樣品板，晶圓樣品板等；

樣品尺寸：5mmX5mm ~ 20mmX20mm (可選配30mm或2inch大樣品板)；

測量溫度：常溫，77K液氮浴；

2、 軟件操作環(huán)境
XP / Win7 / Win8 / Win10環(huán)境下
3、 實驗結果
體載流子濃度、表面載流子濃度；
遷移率;

霍爾系數；
電阻率,方塊電阻；
磁致電阻；
電阻的縱橫比率；
4、 儀器尺寸和重量
主機尺寸：360×300×105 mm (W×H×D)磁體Kit尺寸：200×120×110 mm (W×H×D)；
凈重：7.7千克；
5、 測量材料
Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有半導體薄膜(P型和N型)；

參考用戶：

HMS-3000霍爾效應儀國內科研用戶超過了200臺。

清華大學、北京大學、復旦大學、上海交大、ZG科大、浙江大學、哈工大、電子科大、西北工大、湖南大學、中南大學、上海大學、中科院物理所、半導體所、長春光機所、蘭州化物所、上海技物所、蘇州納米所...