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硒化鎵晶體 GaSe晶體太赫茲晶體

品牌：屹持光電
型號(hào)： GaSe
產(chǎn)地：上海閔行區(qū)
供應(yīng)商報(bào)價(jià)：面議

上海屹持光電技術(shù)有限公司更新時(shí)間：2025-04-24 13:05:05

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入駐年限第10年

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同類產(chǎn)品太赫茲源(22件)

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詳細(xì)介紹

產(chǎn)品簡介

GaSe硒化鎵晶體是一種暗棕色閃光的片狀晶體。相對(duì)密度5.03，熔點(diǎn)(960±10)℃。GaSe和GaS一樣是層狀結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體，隨著溫度的降低，GaSe光電效應(yīng)ZD值向短波方向移動(dòng)。硒化鎵作為一種非線性晶體和光電導(dǎo)體，通常被應(yīng)用于這些方面：于CO₂激光器的二次諧波的產(chǎn)生，CO₂激光器頻率上轉(zhuǎn)換至近紅外或可見光，中紅外波段的光學(xué)混頻，以及5.5um-18.0um中紅外波段的的不同頻率的產(chǎn)生。同時(shí)GaSe晶體也可以被用來產(chǎn)生太赫茲輻射。

GaSe（硒化鎵晶體）的太赫茲振蕩能達(dá)到有非常寬的頻域，至41THz。GaSe硒化鉀晶體是負(fù)單軸層狀半導(dǎo)體晶體，擁有六邊形結(jié)構(gòu)的62m空間點(diǎn)群，300K時(shí)禁帶寬度為2.2eV。GaSe硒化鉀晶體抗損傷閾值高，非線性系數(shù)大（54pm/V），非常合適的透明范圍，以及超低的吸收系數(shù)，這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因?qū)拵掌澱袷幒吞綔y使用的是低于20飛秒的激光光源，GaSe發(fā)射-探測系統(tǒng)能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結(jié)果。通過對(duì)GaSe硒化鉀晶體厚度的選取，我們可以實(shí)現(xiàn)對(duì)THz波的頻率可選擇性控制。

注：GaSe硒化鉀晶體的解理面為(001)，因此對(duì)該晶體使用的一個(gè)很大限制在于質(zhì)軟，易碎。

GaSe 硒化鉀晶體參數(shù)

Structure	62m; a = 3.74 ; c = 15.89
Density	5.03 g/cm³
Mohs hardness	2
E_g, eV	2.02
Refractive indices at 5.3 μm	n_o = 2.8340; n_e = 2.4599
Refractive indices at 10.6 μm	n_o = 2.8136; n_e = 2.4389
Refractive index at 0.633 μm	n_o= 2.9365