產(chǎn)品簡(jiǎn)介

通過優(yōu)化PLD薄膜沉積速率和離子刻蝕速率，新瓷離子輔助PLD系統(tǒng)被用于在非晶或多晶基底上創(chuàng)建雙軸織構(gòu)模板(薄膜)。雙軸織構(gòu)通常是在室溫下進(jìn)行的，這有利于使用許多襯底，否則不允許高質(zhì)量的薄膜生長(zhǎng)。氧化釔穩(wěn)定的氧化鋯(YSZ)和相關(guān)材料，氧化鎂(MgO)是最常用的織構(gòu)材料。離子輔助PLD最初被提議用于在金屬基底上沉積雙軸織化高溫超導(dǎo)YBCO薄膜，它可以擴(kuò)展到許多技術(shù)上重要的基底，其中表面織化對(duì)應(yīng)用至關(guān)重要。在沉積雙軸紋理模板后，活性器件層，如YBCO, PZT, CIGS等可以在應(yīng)用程序確定的高溫下沉積。離子輔助PLD可以被看作是在沉積參數(shù)空間不足的情況下，在襯底和活性膜之間發(fā)展智能界面的一種方法。在許多應(yīng)用中，薄膜襯底組合對(duì)于器件的應(yīng)用是至關(guān)重要的。然而，如果所選的襯底不允許高質(zhì)量的薄膜生長(zhǎng)，則可能有必要開發(fā)一種能夠克服襯底結(jié)構(gòu)和化學(xué)不相容的智能界面。離子輔助PLD可以通過改變成核過程或生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)來創(chuàng)建氧化物或金屬的界面。

離子輔助沉積已經(jīng)成為在無規(guī)取向的基片或非晶襯底上沉積雙軸結(jié)構(gòu)薄膜的一種重要技術(shù)。Neocera 開發(fā)了離子輔助的 PLD 系統(tǒng)，該系統(tǒng)將 PLD 在沉積復(fù)雜材料方面的優(yōu)勢(shì)與 IBAD 能力結(jié)合在一起。

產(chǎn)品特點(diǎn)

獨(dú)立的交鑰匙離子束輔助PLD系統(tǒng)。

在非晶和多晶襯底上沉積雙軸織構(gòu)模板。

外延薄膜、多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)和超晶格的沉積。

用RHEED診斷法沉積織構(gòu)MgO薄膜。

氧化膜沉積的氧相容性。